Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
Halbleiterchipfläche — puslaidininkinio lusto plotas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. semiconductor chip area vok. Halbleiterchipfläche, f rus. площадь полупроводникового кристалла ИС, f pranc. surface de la puce semi conductrice, f … Radioelektronikos terminų žodynas
puslaidininkinio lusto plotas — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. semiconductor chip area vok. Halbleiterchipfläche, f rus. площадь полупроводникового кристалла ИС, f pranc. surface de la puce semi conductrice, f … Radioelektronikos terminų žodynas
semiconductor chip area — puslaidininkinio lusto plotas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. semiconductor chip area vok. Halbleiterchipfläche, f rus. площадь полупроводникового кристалла ИС, f pranc. surface de la puce semi conductrice, f … Radioelektronikos terminų žodynas
surface de la puce semi-conductrice — puslaidininkinio lusto plotas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. semiconductor chip area vok. Halbleiterchipfläche, f rus. площадь полупроводникового кристалла ИС, f pranc. surface de la puce semi conductrice, f … Radioelektronikos terminų žodynas
ГОСТ 25066-91: Индикаторы знакосинтезирующие. Термины, определения и буквенные обозначения — Терминология ГОСТ 25066 91: Индикаторы знакосинтезирующие. Термины, определения и буквенные обозначения оригинал документа: 35 (зна косинтезирующий) индикатор со встроенным управлением: Знакосинтезирующий индикатор, конструктивно выполненный с… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Транзистор — (от англ. transfer переносить и resistor сопротивление) электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий три (или более) вывода, предназначенный для генерирования и преобразования электрических колебаний. Изобретён в… … Большая советская энциклопедия
Изобретение транзистора — Основная статья: Транзистор Макет точечного транзистора Бардина и Браттейна. Треугольник в центре прозрачная призма, по рёбрам которой приклеены полоски фольги выводы коллектора и эми … Википедия
время — 3.3.4 время tE (time tE): время нагрева начальным пусковым переменным током IА обмотки ротора или статора от температуры, достигаемой в номинальном режиме работы, до допустимой температуры при максимальной температуре окружающей среды. Источник … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Планарная технология — совокупность технологических операций, используемая при изготовлении планарных (плоских, поверхностных) полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Содержание 1 Принципы технологии 2 Основные технолог … Википедия
ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… … Энциклопедия Кольера
